IBM la definisce "una pietra miliare per l'elettronica basata sul carbonio". Si tratta infatti del record della più alta frequenza raggiunta utilizzando le tecnologie di produzione di wafer di Silicio attuali ma con il Grafene come materiale (la costruzione del wafer avviene grazie alla degradazione ad opera del calore di SiO). Questo ha portato alla realizzazione di un transistor ad elevatissima frequenza (pari a 100 GHz).

"Uno dei principali vantaggi del grafene si trova nella velocità molto elevate in cui gli elettroni si propagano, che è essenziale per raggiungere ad alta velocità e ad alte prestazioni transistor di nuova generazione," ha dichiarato il Dr. TC Chen (vice president, Science and Technology, IBM Research). "La svolta che stiamo annunciando, dimostra chiaramente che il grafene può essere utilizzato per la produzione di dispositivi ad alte prestazioni e circuiti integrati."

Ricordiamo che il Grafene è una molecola con uno "spessore" formato da un singolo atomo di carbonio legati in una struttura esagonale. Questa forma consente di avere proprietà elettriche, ottiche, meccaniche e termiche uniche e rappresentano un importante passo per il futuro delle microstrutture e della tecnologia in generale.

Adesso l'evoluzione potrebbe essere più veloce grazie a diverse caratteristiche che potrebbero migliorare: per esempio il processo produttivo utilizzato ha ancora ampi margini di miglioramento (anche sulla struttura stessa vista la lunghezza del gate di 240 nm) ma anche l'utilizzo di Grafene prodotto in diversi modi (sia di origine naturale sia con altre procedure di produzione artificiale). Il punto più interessante rimane comunque la possibilità di non stravolgere completamente le modalità di produzione ma di adattarle al nuovo materiale. Questo significa ridurre i tempi di messa in opera e ridurre i costi di ricerca e sviluppo.