Intel e Micron hanno annunciato la realizzazione delle prime celle di memoria NAND flash dalla capacità di 3 bit per cella (3bpc) costruite con processo produttivo a 25 nm offrendo una migliore efficienza dei costi e maggiore capacità di storage per USB drive, Secure Digital, flash card e utilizzabile anche in apparecchi di elettronica di consumo.

Come detto in apertura, le celle progettate dalla joint venture IM Flash Technologies (IMFT) utilizzano la nuova tecnologia a tre bit di informazione per cella invece di quella tradizionale a singolo bit (single-level cell) o due bit (Multi-Level Cell).

"Con l'introduzione in Gennaio del più piccolo die a 25nm, rapidamente seguita dal passaggio alla tecnologia 3-bit-per-cell a 25nm, continuiamo a riprendere slancio e offrire ai clienti una serie irresistibile di products leadership", ha affermato Tom Rampone (Intel vice presidente e general manager di Intel NAND Solutions Group). "Intel prevede di utilizzare la progettazione e la direzione di produzione di IMFT per offrire maggiore densità, prodotti a costi competitivi per i nostri clienti sulla base del nuovo dispositivo da 8GB TLC 25nm NAND".

"Visto la crescita del ruolo della memoria NAND e la continua crescita nei prodotti di elettronica di consumo, presto ci sarà la transizione alla TLC a 25nm come un vantaggio competitivo nel nostro portafoglio di prodotti di memoria NAND", ha dichiarato Brian Shirley (vice presidente di Micron NAND Solutions Group). "Stiamo già lavorando per qualificare la TLC 8GB memoria flash NAND all'interno del prodotto finale, compresi i prodotti di maggiore capacità da Lexar Media e Micron."