Intel: chip SRAM a 65 nm di Ampletech
27/11/2003 21:45

Intel Corporation ha realizzato chip di SRAM (Static Random Access Memory) pienamente funzionanti con la tecnologia di processo a 65 nanometri (nm), il processo di produzione di semiconduttori in grandi quantità di nuova generazione. Intel intende mettere in produzione questo processo nel 2005 utilizzando wafer da 300 mm.



Il nuovo processo a 65 nm (un nanometro corrisponde a un miliardesimo di metro) combina transistor dalle prestazioni più elevate e a basso consumo di energia, una versione di seconda generazione del silicio "strained" di Intel, interconnessioni in rame ad alta velocità e un materiale dielettrico low-k (a bassa costante k). Realizzando chip con il processo a 65 nm, Intel sarà in grado di raddoppiare il numero di transistor installabili su un unico chip.

"Grazie a questo risultato, la tecnologia a 65 nm di Intel è destinata a confermare il nostro record iniziato 15 anni fa di velocizzare la produzione con un processo di nuova generazione ogni due anni. In realtà sono trascorsi solo 20 mesi dall'annuncio di aver realizzato SRAM pienamente funzionanti con il processo a 90 nm, che è ora nella rampa produttiva", ha spiegato Sunlin Chou, Senior Vice President e General Manager del Technology and Manufacturing Group di Intel. "Con il processo a 65 nm riusciremo a realizzare prodotti più evoluti a costi inferiori, mentre continuiamo a introdurre innovazioni per prolungare la Legge di Moore".